Micron美光宣布推出30纳米DDR3L-RS产品

爱达荷州博伊西 2012-09-20－－世界领先的先进半导体解决方案供应商之一Micron Technology, Inc.（纳斯达克股票代码：MU），于2012年9月20日宣布推出用于超薄计算设备和平板电脑的高容量30纳米（nm）低功耗DDR3L-RS SDRAM。2Gb和4Gb低功耗解决方案在待机状态下提供更长的电池使用寿命的同时也保持了个人电脑DRAM的高性能和成本效益。

“Micron已成为DDR3L-RS开发和商业化方面的领导者之一，推出30纳米产品证实了这一点”，IHS iSuppli公司DRAM和内存首席高级分析师 Mike Howard说到。“对于能源预算严紧同时又需要以有竞争力的价格获得高性能的用户而言，DDR3L-RS是非常优秀的选择。我们预计大量下一代超薄平台将利用DDR3L-RS的优异性能”。

这些设备以前被称为“DDR3Lm”，通过减少自刷新功率（IDD6）从而全面改善系统能耗，使Micron能够向芯片组供应商、授权开发商和电子产品制造商提供拥有与标准DRAM同类性能、质量和可靠性的一流低功耗内存。DDR3L-RS能够满足当今不断扩大的超薄计算和平板电脑市场的需要，为增强诸如Intel Ultrabook设备的产品特性和功能铺平了道路。

“我们的用户对这新一代DRAM的反馈信息极其积极”，Micron DRAM营销副总裁Robert Feurle说到。“我们很高兴能成为DRAM解决方案的领先供应商，这使推出的超薄笔记本电脑和平板电脑更薄、运行更快、一次充电后运行时间更久。”

Micron已实现成为第一家获得Intel认证的DDR3L-RS产品供应商的目标，这已在Inter网站上得到证实。

“Micron是在使用DDR3L-RS 的Ivy Bridge 平台上得到验证的第一家DRAM供应商，为低功耗个人电脑DRAM设立了行业标准”，Inter内存支持高级经理Geof Findley说到。

除了2Gb和4Gb设备外，Micron已开始8Gb x 32 DDR3L-RS的样品开发并即将推出8Gb x 16 DDR3L-RS样品；预计将于2012年12月投产。这些产品通过减少主板空间和增加密度从而为系统设计提供额外的灵活性。预计在2013年初推出的DDR4-RS将能够提供额外的节能和节省空间功能。

通过这次产品发布，Micron将凭借其广泛的DRAM、NAND、NOR和SSD解决方案组合充分支持超薄应用。